SJ 50033.150-2002 半导体分立器件2DW230-236型硅电压基准二极管详细规范
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ID： |
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10 |
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日期： |
2024-7-27 |
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中华人民共和国电子行业军用标准,FL 5961 SJ 50033/150—2002,半导体分立器件,2DW23〇.236型硅电压基准二极管,详细规范,Semiconductor discrete device,Detail specification fbr silicon voltage^regulator diode for type 2DW230.236,2002-10-30 发布 2003-03-01 实施,中华人民共和国信息产业部 批准,r,中华人民共和国电子行业军用标准,半导体分立器件,2DW23〇.236型硅电压基准二极管,SJ 50033/150—2002,详细规范,Semiconductor discrete device,Detail specification for silicon voltage-regulator diode for type 2DW230.236,1范围,林《 丁,1.1 ；yと落冬道产子ーゝ、公,本规范规定了 2DW230.23^^勧急推二极钦以下简称器宿褊详细贞求,主题内容,”卜,1.2 适用范围,3,本规范适用于器件的研制.生产和采购O,1.3 分类,本规范根据器件质量保证等级进行分类七ば.,セ," 』”ーお、;、ペ’二.ーイーー,ザ 丁..…：. ;、/:ス 5 L3.!器件的等级,按GJB 33A 發鼻屛分立器件总规范》131,三级,分别用字母:J屋次r和順北表示/tア:ニャ,’、的ッー,规它，‘定： ,提供的质量保' 证.嚳V.级1 为る附 ユマユブ拉 笔1和超特军,-ビキ,雪ニ:：,'：■"飞,、",: レ%.,* 、,GB"6571—1996二半导体器件《分立器件 第3:部分セ瑞号（包括开关，和调整二极管,ヘ内エ丒毎?屋工、名 セ:占ーいブ,，丒ハ、、、.、…—人 、れ二 ;，宀 $,—19871坐导体吩覆器件外形尺寸"‘ビ」'」 ー ー…”,为 攻、’2 , ロシ‘エ‘む,'''「'、、鼠,'，' ■-' ..づセ'ヾ,半导体分立一俘总规范テ辞ビ,ヴ,半导体分立密柞谯验方法…,工述九 %,Xペユ"ゝ ， ゝ‘红 飞,黛,丒 国",ヽ. ド、 丒々,隈、 キJ:斜、,2引用文件,GB/T 7581,GJB 33AT7,GJB 128A—97,3要求,3.1 详细要求,各项要求应按GJB 33A和本窥范的规定ス,:、ユ,3.2 设计、结构和外形尺寸,器件的设计和结构应按GJB 33A和本规范的规定,3.2.1 引出端材料和涂层,引出端材料为可伐,引出端表面应为金层或锲层，对引出端涂层另有要求时，在合同或订货单中予,以规定,3.2.2 器件的结构,器件采用金属管壳全密封封装结构,中华人民共和国信息产业部2002-10-30发布2003-03-0I 实施,SJ 50033/150—2002,管芯采用平面エ艺,管芯与管座之间采用髙温冶金键合,3. 2.3器件电原理,2,3,3.2 4外形尺寸,外形尺寸应符合GB/T7581中的A3-02B (B4)型及图1的规定,标志区,另一端为正极端,3为空中,mm,、代号,符号、、,A3-02B (B4),min nom max,A 6.10 6.60,力d 5.08,叫LOI,叫0,407 0.560,(PD 8,64 9.49,响8.01 8.50,J 0.712 0.787 0.913,K 0.69 “4,L 12.5 28.0,ム1.27,__L,极性排列:输出端1或2以色点表示为负极端,/,打,目1外形图,3.3 最大额定值和主要电特性,3. 3.I最大额定值,最大额定值见表lo,表1最大额定值,、、 参数,型号 ヽ、,ァ期リ,三 5(TC,mW,Ta=50'C,mA,Tjm,ヒC,2DW230.236 _ 200 _____ 30 ___________________ 175__________ - 55775,1)当?\>50ヒ时,按L6mWK的速率线性地降额.,2,r,www. bzfxw. com,SJ 50033/150—2002,3.3.2主要电特性,主要电特性（み=25t）见表2.,表2主要电特性参数,栏号…,电参数,型号,2DW230,2DW231,2DW232,2DW233,2DW234,1 2 3 4,々,片 10 mA,V,厶,を=10 mA,Q,妬,『V,U A,/ri',匕デ3.6 V,u A,県ho,min max,5.8 6.6,〈25,W15,W1,ザユ卿",四平,W2,2 22f,%rc mA,测试,温度,ヒ,W50X10.3 10 25,75,2DW235,2DW236,6.0,ザ丒ぜ,ザや苫ゴ報:，喩:務小丒丒マ丒,'.“ヽ‘一3.4 电测试要求デ デ、ザ…―—,电测试应符合6B总97（我本规窓带窺昊;*七,丒 一,丒 一 丒I ゴ丒-!し'ぐな『ニュ吟&Z*二： ”、「ル上, 3.5 标志 丒,3. 5. 1标志应符含GJB33A和本规范的规定,器件上的标志系例メ ?蔡セな蔡羨、ヨゆ,次屮さ的泞叫セ在,ザー营,『当?r,Uf ロ,J r + ルバ ユ,此モす.叫城ヲ（セ「,戸:F,叡ザ通丒黑ビ、5,4质量保证规定,4.1抽样和检验,10 25,75,l 12.5,>15,キ,芸2,、单 ザ,KJ,Ly激的丒,92@^O1,アざ组脸32m叠会,、エと［セフ:;"ぐ:ザ遅ジパエ; エ工拿建奕沁ザン:",、つ、’ザマ,午 - - <,バ飞哆菽唬*埶M琮ザザハ,許 r ー 、づー孑ー， aモfヽ I,ヽ"dメにょ最.白鬚泰二短';:普丒常斌……
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